सैमसंग के नवीनतम 64 लेयर, 512-GB वी-एनएएनडी चिप्स का उपयोग करते हुए नया 512 GB यूनिवर्सल फ्लैश स्टोरेज (ईयूएफएस) मेमोरी चिप आगामी फ्लैगशिप स्मार्टफोन्स और टैबलेट्स को अद्वितीय भंडारण क्षमता और उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करेगा.
स्मार्टफोन में स्टोरेज क्षमता को एक नए स्तर तक ले जाते हुए सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने बुधवार को अगली पीढ़ी के मोबाइल डिवाइस के लिए 512 GB मेमोरी चिप के बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की घोषणा की है. कंपनी ने एक बयान में कहा कि सैमसंग के नवीनतम 64 लेयर, 512-GB वी-एनएएनडी चिप्स का उपयोग करते हुए नया 512 GB यूनिवर्सल फ्लैश स्टोरेज (ईयूएफएस) मेमोरी चिप आगामी फ्लैगशिप स्मार्टफोन्स और टैबलेट्स को अद्वितीय भंडारण क्षमता और उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करेगा.
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के कार्यकारी उपाध्यक्ष (मेमोरी बिक्री और विपणन) जेइसू हान ने कहा, "नया सैमसंग 512 GB ईयूएफएस अगली पीढ़ी के प्रीमियम स्मार्टफोन्स को सबसे अच्छा सन्निहित भंडारण समाधान प्रदान करता है."
जेइसू ने कहा, "इस उन्नत सन्निहित स्टोरेज की प्रारंभिक, स्थिर आपूर्ति का आश्वासन देते हुए सैमसंग दुनिया भर के मोबाइल निर्माताओं द्वारा अगली पीढ़ी के मोबाइल डिवाइसों को समय पर लांच करने में योगदान देने के लिए एक बड़ा कदम उठा रहा है."
उन्होंने कहा कि बढ़ी हुई मोबाइल क्षमता अधिक व्यापक अनुभव प्रदान करेगी
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IANS
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